旗舰级SSD性能测试 OCZ R350 PCIe SSD给力呈现

　　曾几何时，OCZ还是世界上数一数二的高性能内存制造商，但奇怪的是，这家企业在最近几年似乎一溃千里：刚收购了Indilinx，结果就宣布由于经营不善退出内存制造业专心从事SSD研发和销售；期间Vertex系列SSD又爆出白片NAND闪存和测试版主控事件。最后，这家曾经象征高端硬件的品牌被Toshiba收购。

　　作为从Core V2 SSD开始的OCZ SSD用户，经历了当初的Indilinx Barefoot主控时代的同质化（当时市面上的SSD几乎清一色都用同样主控）、Intel X25系列搅局、SandForce主控率先突破性能瓶颈，到目前Marvell主控占据中高端SSD市场主流位置，OCZ在这个市场给人的感觉是始终处于两头的位置：要么坚持用SF-2281这样的主控打造中端产品，要么就搞个PCI-E接口的SSD，容量和价格能爆掉所有人眼球。

　　2014年下半年，当SSD市场逐渐从当初的SATA 6Gbps标准过渡到PCI-E（实际上OCZ在前两年早已有PCI-E产品线），SSD的持续读写速度要是上不了500MB/s都不好意思跟人打招呼。除了Apple在MacBook Pro和Mac Pro上使用高性能PCI-E SSD之外，Plextor等厂商也率先在DIY市场推广PCI-E SSD，比如M6E。

　　OCZ作为老牌PCI-E SSD厂商，在此时自然不会淡定，RevoDrive 350和RevoDrive 3X2则是Toshiba收购OCZ后最新推出的产品，主打高性能，号称企业级标准（好像绝大部分中高端民用SSD都喜欢跟企业级挂上钩）。

　　在入手M6E后，我始终对OCZ的PCI-E SSD感到好奇：它何德何能要把480GB容量的SSD卖到别家几乎是2块1TB SATA SSD的价格？所以这次忍不住搞来了RevoDrive 350 480GB版本来试一试，看看OCZ的底气到底在什么地方。

　　首先，光看外观，这块SSD跟一张独立声卡类似，外面是一块银白色屏蔽罩，不过从右下角来看，似乎还有散热片的作用。

　　这块SSD不需要任何形式的外接供电。不过对于SSD来说，本来功耗就是个位数，PCI-E接口最差也能支撑75W的设备功耗，所以这样的设计也在情理之中。

　　跟其他PCI-E接口的SSD不同，RevoDrive 350的主控并非原生支持PCI-E接口，而是4颗SandForce SF-2282在SSD内部组成RAID0，四颗主控均位于PCB背面。另外可以看到，在被收购之后，OCZ SSD的NAND Flash颗粒全部换成了“自家”的Toshiba。从SD卡之类的产品来看，Toshiba的颗粒品质还是不错的，不过在SSD上确实不太多见。

　　RevoDrive 350外壳只有4颗螺丝固定，也没任何易碎贴之类的保修签阻碍。从拆下来的外壳上可以发现，这块散热片基本上就只是用来给右下角那颗芯片散热用，中间四个凸起的金属块对应到PCB背面的四颗SandForce主控，似乎本来那四颗主控是准备放到PCB正面。

紫色：WE-HCC SMD High Current Cube Inductor
蓝色：Enpirion EN63A0QI 12A DC/DC Converter
橙色：Lattice ispPAC-POWR1220AT8
红色：LSI PCIx to PCI-E Bridge+SATA/SAS Controller+RAID Controller
绿色：Toshiba Toggle Mode MLC NAND Flash
棕色：Winbond EPPROM

　　四颗SandForce SF-2282主控的其中一颗。SandForce最早被Avago收购，后来又被LSI纳入旗下，而今年又被希捷收购了，看样子跟OCZ命运多少有些相似。SandForce主控最被大家熟悉的就是可以对部分数据进行实时压缩后再进行实际写入。这种技术的优点在于可以极大地减小写入放大（实测能达到0.5X，也就是在理想状况下，10GB的数据写入SandForce主控的SSD，NAND Flash实际只做了5GB数据量的写入），对于NAND Flash本身是一种非常有效的保护，而在可压缩数据读写方面，SandForce的速度可以说非常牛X。

　　编号为TH58TEG7DDJBA4C的Toshiba Toggle Mode MLC NAND Flash，19nm制造工艺，单颗容量16GB，PCB正反两面共32颗，合计512GB，而SSD标称容量480GB，因此剩下的32GB被分配给各个主控作为冗余空间。

　　从之前其他渠道的测试可得知，单颗TH58TEG7DDJBA4C闪存写入速度在50MB/s左右，读取速度在100MB/s左右，因此要达到RevoDrive标称的1800MB/s左右的持续读取速度，搭配四颗SandForce主控组成的RAID0以及数据压缩技术，应该是单颗主控4通道，每通道2颗16GB的闪存颗粒。

　　Lattice的可编程电源管理控制器，包括了Voltage Monitor、Voltage Control、MOSFET Driver、PLD、Timer等等一系列功能。

　　这颗打磨之后打上OCZ自己Logo的芯片似乎有点眼熟，再加上SandForce、OCZ与LSI之间错综复杂的关系，不难猜到这应该是一颗PCI-E桥接芯片+SATA/SAS控制器+RAID控制器。

　　EN63A0QI，来自Enpirion的DC-DC转换器，厂商将之称为PowerSoC，因为其中还包含了MOSFET、开关控制器和回路补偿之类的东西。

　　Würth Elektronik的封闭式高电流电感，从官方的产品图来看，里面有注胶，至少能在一定程度上保证大电流情况下不会出现共振（啸叫）。

　　与目前其他PCI-E SSD一样，RevoDrive 350也集成了Boot ROM，或者是上图中所谓的BIOS，所以直接就可进行引导，不需要预先安装任何驱动程序，但从上图可以看出，在系统引导阶段，也就是BIOS环境下，SSD是以PCI-E x8 5Gbps的速度运行的，只有在进入系统，有驱动程序的支持下，才能实现最高32Gbps的速度。

单盘性能测试：

　　如果用可压缩数据重新进行测试，则能得到以下结果：

　　在可压缩数据下，RevoDrive 350持续读取速度超过了1800MB/s，持续写入速度也超过了标称的1700MB/s，所以从某种意义上来说，OCZ确实没虚标。

双盘跨区卷性能测试：

　　由于目前还没找到任何软件或者硬件能让两块PCI-E SSD组成真正意义上的RAID0，所以这里就只能采取迂回战术：Windows自带的“跨区卷”功能，也就是将两个动态磁盘分区在操作系统层面进行组合，达到类似RAID0的效果。

　　从实际测试结果来看，两块RevoDrive 350捆在一起最终还是超过了3000MB/s的读取速度以及1700MB/s的写入速度，并且这是非压缩数据下的成绩（可惜AS SSD Benchmark的压缩数据测试只能针对单盘或者硬件RAID），这样的速度几乎追平几年前的RAMDisk了。

　　但由于操作系统层面的“跨区卷”效率实在不敢恭维，4K随机读写的速度不升反降，有点得不偿失。再加上动态磁盘无法作为启动分区，所以要想在PCI-E SSD组成的跨区卷上安装操作系统也是不可能的。这样的组合就只能用来装个游戏或者大型程序什么的，用来做4K非编之类的事情应该也非常不错。

　　总的来说，OCZ被东芝收购之后，感觉确实比之前稍微给力了点，至少在质量和售后上都不再需要担心。RevoDrive 350三年质保对比其他家动则5年的质保期有点抠门了，也不太符合企业级的宣传定位。

　　所以如果有土豪嫌SATA接口的SSD速度太慢，又想追求大容量，可以顺便来两发OCZ这货，但考虑到5xxx的价格，好像来两块1TB的SATA 6Gbps SSD做实打实的RAID0更靠谱些？

　　无论如何，OCZ坚持PCI-E SSD研发的精神还是值得肯定，在闪存可靠性上依靠SandForce给出的答卷也还令人满意，四颗SandForce主控组成的RAID0性能确实也算是当前SSD产品里面的老大。但依旧期待OCZ跳出SandForce，跳出内部RAID0的路线，开发出基于Marvell乃至自家Indilinx Barefoot 3主控的更高性能PCI-E SSD。